MOSFET công suất IXYS IXFX64N60P3 600V 64A PLUS247

Mô tả

IXFX64N60P3 là MOSFET công suất N-Channel Enhancement Mode thuộc dòng Polar3 HiPerFET của IXYS/Littelfuse, có điện áp Drain-Source tối đa 600V và dòng Drain liên tục 64A tại TC = 25°C. Linh kiện được thiết kế cho các mạch chuyển mạch công suất cao, với RDS(on) tối đa 100mΩ, dòng xung lên đến 160A và công suất tiêu tán tối đa 1130W trong điều kiện datasheet quy định. IXFX64N60P3 sử dụng package PLUS247 3 chân, tích hợp intrinsic diode có tốc độ phục hồi nhanh và được avalanche rated, phù hợp cho nguồn xung, bộ chuyển đổi DC-DC, UPS, bộ sạc và mạch điều khiển động cơ AC.

Tổng quan về sản phẩm

IXYS IXFX64N60P3 là MOSFET silicon công suất cao thuộc thế hệ Polar3 HiPerFET. Đây là transistor MOSFET kênh N hoạt động ở chế độ enhancement, được tối ưu cho các ứng dụng đóng cắt điện áp và dòng điện lớn.

Dòng Polar3 kết hợp điện trở dẫn thấp, điện tích Gate thấp và intrinsic diode có thời gian phục hồi nhanh. Những đặc tính này giúp IXFX64N60P3 phù hợp với các bộ biến đổi công suất và nguồn chuyển mạch cần MOSFET 600V có khả năng chịu dòng lớn.

Phiên bản IXFX64N60P3 sử dụng vỏ PLUS247. Trong cùng datasheet, IXYS còn cung cấp IXFK64N60P3 với thông số điện chính tương ứng nhưng sử dụng package TO-264.

Thông số kỹ thuật

Các giá trị dòng 64A và công suất 1130W được xác định trong điều kiện nhiệt độ vỏ TC = 25°C. Khả năng tải thực tế của MOSFET phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ junction, tản nhiệt, PCB, chế độ đóng cắt và điều kiện vận hành của thiết bị.

Đặc điểm nổi bật và lợi ích

• VDSS 600V: phù hợp với các tầng công suất làm việc ở điện áp cao và có biên thiết kế thích hợp.
• Dòng Drain 64A: đáp ứng các ứng dụng chuyển mạch công suất lớn trong điều kiện nhiệt được nhà sản xuất quy định.
• RDS(on) thấp: mức tối đa 100mΩ giúp hạn chế tổn hao dẫn so với MOSFET có điện trở dẫn cao hơn trong cùng điều kiện vận hành.
• Avalanche Rated: tăng khả năng chịu các điều kiện avalanche trong giới hạn datasheet.
• Fast Intrinsic Diode: diode nội có thời gian phục hồi ngược tối đa 250ns, phù hợp với nhiều ứng dụng chuyển mạch công suất.
• Dynamic dv/dt Rating: được thiết kế cho các mạch có tốc độ biến thiên điện áp cao.
• Low Gate Charge: hỗ trợ quá trình điều khiển đóng cắt MOSFET ở các ứng dụng nguồn công suất.
• Package PLUS247: thiết kế dành cho linh kiện công suất và thuận tiện kết hợp với hệ thống tản nhiệt phù hợp.

Nguyên lý hoạt động

IXFX64N60P3 là MOSFET kênh N. Điện áp điều khiển được đưa giữa Gate và Source để điều khiển trạng thái dẫn giữa Drain và Source.

Khi điện áp Gate-Source đạt mức điều khiển thích hợp, MOSFET chuyển sang trạng thái dẫn và cho phép dòng công suất chạy từ Drain xuống Source. Khi điện áp điều khiển Gate được loại bỏ, MOSFET chuyển về trạng thái ngắt.

Trong ứng dụng switching, MOSFET liên tục chuyển đổi giữa trạng thái ON và OFF để điều khiển năng lượng. Hiệu suất của mạch phụ thuộc vào nhiều yếu tố như RDS(on), Gate Charge, tốc độ switching, gate driver, tần số hoạt động và thiết kế tản nhiệt.

Cần lưu ý VGS(th) không phải điện áp Gate khuyến nghị để MOSFET dẫn hoàn toàn. Thông số RDS(on) của IXFX64N60P3 được xác định với điều kiện VGS = 10V, vì vậy việc thiết kế gate driver cần dựa trên datasheet thay vì chỉ dựa vào điện áp threshold.

Ứng dụng

Theo IXYS/Littelfuse, IXFX64N60P3 phù hợp cho:

• Bộ chuyển đổi DC-DC.
• Bộ sạc pin và ắc quy.
• Nguồn chuyển mạch SMPS.
• Nguồn cộng hưởng Resonant-Mode Power Supply.
• Bộ lưu điện UPS.
• Bộ điều khiển động cơ AC.
• Bộ biến đổi công suất.
• Mạch switching công suất tốc độ cao.
• Thiết bị nguồn công nghiệp.
• Sửa chữa các bo công suất sử dụng MOSFET IXFX64N60P3.

Khi nào nên lựa chọn IXFX64N60P3?

IXFX64N60P3 phù hợp khi thiết kế yêu cầu MOSFET N-Channel 600V, khả năng chịu dòng cao và package PLUS247, đặc biệt trong nguồn xung và các tầng chuyển đổi công suất.

Đối với sửa chữa thiết bị, nên lựa chọn đúng IXFX64N60P3 khi linh kiện nguyên bản sử dụng model này. Nếu cần tìm MOSFET tương đương, không nên chỉ so sánh hai thông số 600V và 64A mà phải kiểm tra đồng thời RDS(on), Gate Charge, tốc độ switching, intrinsic diode, package, pinout, SOA và đặc tính nhiệt.

Cần phân biệt IXFX64N60P3 với IXFK64N60P3. Hai model được công bố trong cùng datasheet và có nhiều đặc tính điện giống nhau, nhưng IXFX sử dụng PLUS247, trong khi IXFK sử dụng TO-264.

Lưu ý khi lựa chọn, lắp đặt hoặc thay thế

• Xác nhận chính xác model IXFX64N60P3 trước khi đặt hàng.
• Kiểm tra package PLUS247 và vị trí chân Gate, Drain, Source trước khi thay thế.
• Tab của linh kiện được kết nối với Drain, cần lưu ý khi thiết kế hoặc lắp vào heatsink.
• Dòng 64A là thông số tại TC = 25°C, không nên hiểu là MOSFET luôn có thể mang liên tục 64A trong mọi điều kiện thực tế.
• Cần thiết kế heatsink và quản lý nhiệt phù hợp để giữ junction temperature trong giới hạn datasheet.
• Điện áp Gate-Source liên tục không được vượt quá ±30V.
• Không sử dụng VGS(th) làm điện áp gate drive mục tiêu cho trạng thái dẫn hoàn toàn.
• Khi thay MOSFET trong nguồn hoặc inverter bị hỏng, nên kiểm tra thêm gate driver, điện trở Gate, diode, tụ, snubber và các linh kiện công suất liên quan trước khi cấp điện trở lại.

Câu hỏi thường gặp

IXFX64N60P3 là linh kiện gì?
Đây là MOSFET công suất N-Channel 600V thuộc dòng Polar3 HiPerFET của IXYS/Littelfuse.

Dòng tối đa của IXFX64N60P3 là bao nhiêu?
Datasheet công bố dòng Drain liên tục ID25 = 64A tại TC = 25°C và dòng xung IDM tối đa 160A trong điều kiện quy định.

RDS(on) của IXFX64N60P3 là bao nhiêu?
Datasheet IXYS công bố RDS(on) tối đa 100mΩ. Một số nhà phân phối liệt kê giá trị 95mΩ tại ID = 32A và VGS = 10V; khi thiết kế nên sử dụng giới hạn tối đa trong datasheet chính thức.

IXFX64N60P3 dùng vỏ gì?
Model IXFX64N60P3 sử dụng package PLUS247 3 chân, kiểu lắp xuyên lỗ.

IXFX64N60P3 và IXFK64N60P3 có giống nhau không?
Hai linh kiện thuộc cùng dòng và được IXYS công bố chung trong datasheet với nhiều thông số điện tương ứng. Điểm khác biệt quan trọng là package: IXFX64N60P3 sử dụng PLUS247 còn IXFK64N60P3 sử dụng TO-264.

Tư vấn và lựa chọn sản phẩm

Khi cần tìm mua MOSFET IXYS IXFX64N60P3 600V 64A hoặc lựa chọn linh kiện thay thế, khách hàng có thể gửi ảnh linh kiện cũ, model bo mạch, thông số nguồn và vị trí sử dụng cho Điện Tử LVT để hỗ trợ đối chiếu.

Đối với sửa chữa tầng công suất, nên xác nhận đầy đủ điện áp, dòng điện, package, RDS(on), Gate Charge, diode nội và điều kiện switching trước khi sử dụng một MOSFET khác thay cho IXFX64N60P3.

Thông Tin Công Ty